Name: Infineon Technologies BSC119N03S G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC119N03S G
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSC119N03S G

Artikelnummer:

BSC119N03S G

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON

Datenblätte:

1.BSC119N03S G.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies BSC119N03S G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC119N03S G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TDSON-8-1
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.9mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	2.8W (Ta), 43W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11.9A (Ta), 30A (Tc)
BSC119N03S G Einzelheiten PDF [English]	BSC119N03S G PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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